直流电机

直流电机

 结构

直流有刷电机3D解析

H桥结构

...

L298N

由于担心H桥同时导通,不直接驱动H桥

分立元件搭建

集成IC需要考虑 电机的电压和电流

一般驱动能力要更高,结构一致,细节有差异

使用MOSFET专用芯片(EG2104)

NMOS的低端驱动-高端驱动问题

低端接法,V_{GS}很好确定

高端接法则复杂(V_S浮动),如何确保VG>VSV_G>V_SVG​>VS​﻿

自居电路

通过自居二极管对自居单向充电

充电完后供上端,运算放大器使用,得到更大的输出电压

驱动板电流电压采集

电流采样电路

电流采样原理

可用于负反馈,过流保护

前一级放大器为隔离放大器(8倍)

后一级为减法器,用于放大差分电压(带1.24V偏移)

计算方式

U6−U+R51=U+−UOUTR52\frac{U_6-U_+}{R_{51}} = \frac{U_+-U_{OUT}}{R_{52}}R51​U6​−U+​​=R52​U+​−UOUT​​﻿

U7−U−R50=U−−U1.24R53\frac{U_7-U_-}{R_{50}} = \frac{U_--U_{1.24}}{R_{53}}R50​U7​−U−​​=R53​U−​−U1.24​​﻿

由于所有R相等(10K)上下都×R然后,上下相减

得U6−U7=1.24−UOUTU_6-U_7=1.24-U_{OUT}U6​−U7​=1.24−UOUT​﻿

过流保护电路

过流信号处理检测电路

将电流采集的输出和2.84V比较,若小则输出1

下面部分电路防止启动大电流

启动大电流前级输出0,MOS关闭,电容充电使能(反相器)使能芯片

则Y与Z链接在一起,同样输出0

后一级锁存器,可以设置输出0的保护时间,过流时Shutdown_B也为0

PWM/SD隔离,对低电平敏感,任何一个Shutdown信号都使得EG2104S强制关闭(SD_IN低电平有效)

电压检测电路

电压检测原理图

最后计算得Power=37(Power_ADC+1.24)Power= 37(Power\_ADC+1.24)Power=37(Power_ADC+1.24)﻿

其中前级隔离放大器不需要放大